0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

SISS08DN-T1-GE3

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    N

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    25V
  • Максимальный ток
    195.5A
  • Пороговое напряжение затвора max
    2.2V
  • Общий заряд затвора
    82nC
  • Входная емкость
    3670pF
  • Мощность рассеивания
    65.7Вт

Общие

  • Производитель
    VISHAY

Спецификация

siss08dn-t1-ge3.pdf 0.24Мб

siss08dn-t1-ge3.pdf

MOSFET N-channel. 25V. 195.5A.

Тел.: 8-495-795-08-05
127015, Россия, г. Москва ул. Новодмитровская, д.2, корп.2, этаж 14, офис "Радиотех"
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу