0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

CED01N65A

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    -N
  • Тип корпуса
    TO-251

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    650V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.012Ohm
  • Максимальный ток
    0.9A
  • Максимальный импульсный ток
    36A
  • Ток утечки сток-исток (max)
    1mkA
  • Пороговое напряжение затвора min
    2V
  • Пороговое напряжение затвора max
    4V
  • Общий заряд затвора
    10nC
  • Заряд затвор-исток
    0.7nC
  • Заряд затвор-сток
    7nC
  • Входная емкость
    165pF
  • Выходная емкость
    60pF
  • Емкость обратного переноса (емкость Миллера)
    30pF
  • Задержка включения
    10ns
  • Длительность фронта
    11ns
  • Задержка выключения
    21ns
  • Длительность спада
    42ns
  • Мощность рассеивания
    43Вт

Эксплуатационные

  • Минимальная рабочая температура
    -55°C
  • Максимальная рабочая температура
    150°C

Общие

  • Производитель
    CET

Спецификация

CED01N65A 0.38Мб

u01n65a.pdf

Полевой MOSFET N канальный транзистор

Тел.: 8-495-795-08-05
Факс: 8-495-545-08-69
127083, Россия, г. Москва ул. Юннатов, дом 18
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу