0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

CED01N65

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    -N
  • Тип корпуса
    TO-251

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    650V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.0085Ohm
  • Максимальный ток
    1.2A
  • Максимальный импульсный ток
    4.8A
  • Ток утечки сток-исток (max)
    25mkA
  • Пороговое напряжение затвора min
    2.5V
  • Пороговое напряжение затвора max
    4.5V
  • Общий заряд затвора
    5.8nC
  • Заряд затвор-исток
    1.9nC
  • Заряд затвор-сток
    2.4nC
  • Входная емкость
    215pF
  • Выходная емкость
    50pF
  • Емкость обратного переноса (емкость Миллера)
    20pF
  • Задержка включения
    14.3ns
  • Длительность фронта
    14.6ns
  • Задержка выключения
    23ns
  • Длительность спада
    17ns
  • Мощность рассеивания
    35.7Вт

Эксплуатационные

  • Минимальная рабочая температура
    -55°C
  • Максимальная рабочая температура
    150°C

Общие

  • Производитель
    CET

Спецификация

CED01N65 0.39Мб

u01n65.pdf

Полевой MOSFET N канальный транзистор

Тел.: 8-495-795-08-05
Факс: 8-495-545-08-69
127083, Россия, г. Москва ул. Юннатов, дом 18
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу