0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

AUIRF7799L2TR

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    -N
  • Тип корпуса
    DirectFET_L8

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    250V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.032Ohm
  • Максимальный ток
    35A
  • Максимальный импульсный ток
    140A
  • Ток утечки сток-исток (max)
    20mkA
  • Пороговое напряжение затвора min
    3V
  • Пороговое напряжение затвора max
    5V
  • Общий заряд затвора
    110nC
  • Заряд затвор-исток
    26nC
  • Заряд затвор-сток
    39nC
  • Входная емкость
    6714pF
  • Выходная емкость
    606pF
  • Емкость обратного переноса (емкость Миллера)
    157pF
  • Задержка включения
    36.3ns
  • Длительность фронта
    33.5ns
  • Задержка выключения
    73.9ns
  • Длительность спада
    26.6ns
  • Мощность рассеивания
    125Вт

Эксплуатационные

  • Минимальная рабочая температура
    -55°C
  • Максимальная рабочая температура
    175°C

Общие

  • Производитель
    IR

Спецификация

auirf7799l2.pdf 0.43Мб

auirf7799l2.pdf

Полевой транзистор MOSFET

Тел.: 8-495-795-08-05
Факс: 8-495-545-08-69
127083, Россия, г. Москва ул. Юннатов, дом 18
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу